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结型场效应晶体管(JFET)

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图片原厂型号品牌描述库存参考价格封装/外壳FET类型电压-击穿(V(BR)GSS)漏源极电压(Vdss)不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)
MMBF4393LT1GMMBF4393LT1GON
安森美
N沟道 VDS=30V VGS=30V P=225mW
数据手册

现货:0

立即询价
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
N沟道
30V
30V
PMBF4393,215PMBF4393,215NXP
恩智浦
N沟道 VDS=40V VGS=40V P=250mW
数据手册

现货:0

立即询价
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
N沟道
40V
40V